SQS420EN-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 1212-8
Artikelnummer
SQS420EN-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8
Effektförlust (max)
18W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
490pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54270 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQS420EN-T1_GE3
SQS420EN-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQS420EN-T1_GE3 Försäljning
SQS420EN-T1_GE3 Leverantör
SQS420EN-T1_GE3 Distributör
SQS420EN-T1_GE3 Datatabell
SQS420EN-T1_GE3 Foton
SQS420EN-T1_GE3 Pris
SQS420EN-T1_GE3 Erbjudande
SQS420EN-T1_GE3 Lägsta pris
SQS420EN-T1_GE3 Sök
SQS420EN-T1_GE3 Köp av
SQS420EN-T1_GE3 Chip