SQS411ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 40V PPAK 1212-8W
Artikelnummer
SQS411ENW-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® 1212-8W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® 1212-8W
Effektförlust (max)
53.6W (Tc)
FET typ
P-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27.3 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3191pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 22061 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQS411ENW-T1_GE3
SQS411ENW-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQS411ENW-T1_GE3 Försäljning
SQS411ENW-T1_GE3 Leverantör
SQS411ENW-T1_GE3 Distributör
SQS411ENW-T1_GE3 Datatabell
SQS411ENW-T1_GE3 Foton
SQS411ENW-T1_GE3 Pris
SQS411ENW-T1_GE3 Erbjudande
SQS411ENW-T1_GE3 Lägsta pris
SQS411ENW-T1_GE3 Sök
SQS411ENW-T1_GE3 Köp av
SQS411ENW-T1_GE3 Chip