SQJB80EP-T1_GE3
MOSFET 2 N-CH 80V POWERPAK SO8
Artikelnummer
SQJB80EP-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Max
48W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8 Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
80V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37860 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJB80EP-T1_GE3
SQJB80EP-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJB80EP-T1_GE3 Försäljning
SQJB80EP-T1_GE3 Leverantör
SQJB80EP-T1_GE3 Distributör
SQJB80EP-T1_GE3 Datatabell
SQJB80EP-T1_GE3 Foton
SQJB80EP-T1_GE3 Pris
SQJB80EP-T1_GE3 Erbjudande
SQJB80EP-T1_GE3 Lägsta pris
SQJB80EP-T1_GE3 Sök
SQJB80EP-T1_GE3 Köp av
SQJB80EP-T1_GE3 Chip