Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SQJA37EP-T1_GE3

SQJA37EP-T1_GE3

MOSFET P-CHAN 30V PPAK SO-8L
Artikelnummer
SQJA37EP-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
P-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
9.2 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
100nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4900pF @ 25V
Vgs (max)
±20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21235 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SQJA37EP-T1_GE3
SQJA37EP-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJA37EP-T1_GE3 Försäljning
SQJA37EP-T1_GE3 Leverantör
SQJA37EP-T1_GE3 Distributör
SQJA37EP-T1_GE3 Datatabell
SQJA37EP-T1_GE3 Foton
SQJA37EP-T1_GE3 Pris
SQJA37EP-T1_GE3 Erbjudande
SQJA37EP-T1_GE3 Lägsta pris
SQJA37EP-T1_GE3 Sök
SQJA37EP-T1_GE3 Köp av
SQJA37EP-T1_GE3 Chip