SQJ560EP-T1_GE3
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Artikelnummer
SQJ560EP-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Max
34W (Tc)
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8 Dual
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
60V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc), 18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1650pF @ 25V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 35001 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJ560EP-T1_GE3
SQJ560EP-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJ560EP-T1_GE3 Försäljning
SQJ560EP-T1_GE3 Leverantör
SQJ560EP-T1_GE3 Distributör
SQJ560EP-T1_GE3 Datatabell
SQJ560EP-T1_GE3 Foton
SQJ560EP-T1_GE3 Pris
SQJ560EP-T1_GE3 Erbjudande
SQJ560EP-T1_GE3 Lägsta pris
SQJ560EP-T1_GE3 Sök
SQJ560EP-T1_GE3 Köp av
SQJ560EP-T1_GE3 Chip