SQJ488EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L
Artikelnummer
SQJ488EP-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
979pF @ 25V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 14862 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJ488EP-T1_GE3
SQJ488EP-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJ488EP-T1_GE3 Försäljning
SQJ488EP-T1_GE3 Leverantör
SQJ488EP-T1_GE3 Distributör
SQJ488EP-T1_GE3 Datatabell
SQJ488EP-T1_GE3 Foton
SQJ488EP-T1_GE3 Pris
SQJ488EP-T1_GE3 Erbjudande
SQJ488EP-T1_GE3 Lägsta pris
SQJ488EP-T1_GE3 Sök
SQJ488EP-T1_GE3 Köp av
SQJ488EP-T1_GE3 Chip