SQJ414EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 30A POWERPAKSOL
Artikelnummer
SQJ414EP-T1_GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8L
Effektförlust (max)
45W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1110pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16411 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SQJ414EP-T1_GE3
SQJ414EP-T1_GE3 Elektroniska komponenter
SQJ414EP-T1_GE3 Försäljning
SQJ414EP-T1_GE3 Leverantör
SQJ414EP-T1_GE3 Distributör
SQJ414EP-T1_GE3 Datatabell
SQJ414EP-T1_GE3 Foton
SQJ414EP-T1_GE3 Pris
SQJ414EP-T1_GE3 Erbjudande
SQJ414EP-T1_GE3 Lägsta pris
SQJ414EP-T1_GE3 Sök
SQJ414EP-T1_GE3 Köp av
SQJ414EP-T1_GE3 Chip