Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIZ926DT-T1-GE3

SIZ926DT-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 25V 8-POWERPAIR
Artikelnummer
SIZ926DT-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen IV
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerWDFN
Effekt - Max
20.2W, 40W
Leverantörsenhetspaket
8-PowerPair® (6x5)
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
40A (Tc), 60A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 5A, 10V, 2.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
19nC @ 10V, 41nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
925pF @ 10V, 2150pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41562 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIZ926DT-T1-GE3
SIZ926DT-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIZ926DT-T1-GE3 Försäljning
SIZ926DT-T1-GE3 Leverantör
SIZ926DT-T1-GE3 Distributör
SIZ926DT-T1-GE3 Datatabell
SIZ926DT-T1-GE3 Foton
SIZ926DT-T1-GE3 Pris
SIZ926DT-T1-GE3 Erbjudande
SIZ926DT-T1-GE3 Lägsta pris
SIZ926DT-T1-GE3 Sök
SIZ926DT-T1-GE3 Köp av
SIZ926DT-T1-GE3 Chip