SIZ914DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Artikelnummer
SIZ914DT-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-PowerWDFN
Effekt - Max
22.7W, 100W
Leverantörsenhetspaket
8-PowerPair®
FET typ
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
16A, 40A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1208pF @ 15V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44143 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIZ914DT-T1-GE3
SIZ914DT-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIZ914DT-T1-GE3 Försäljning
SIZ914DT-T1-GE3 Leverantör
SIZ914DT-T1-GE3 Distributör
SIZ914DT-T1-GE3 Datatabell
SIZ914DT-T1-GE3 Foton
SIZ914DT-T1-GE3 Pris
SIZ914DT-T1-GE3 Erbjudande
SIZ914DT-T1-GE3 Lägsta pris
SIZ914DT-T1-GE3 Sök
SIZ914DT-T1-GE3 Köp av
SIZ914DT-T1-GE3 Chip