köpa Vishay Siliconix SISA88DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SISA88DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK

Artikelnummer

SISA88DN-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET® Gen IV

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® 1212-8

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® 1212-8

Effektförlust (max)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

30V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

16.2A (Ta), 40.5A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

6.7 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

25.5nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

985pF @ 15V

Vgs (max)

+20V, -16V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

4.5V, 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 7311 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter