SIR414DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Artikelnummer
SIR414DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
40V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
117nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4750pF @ 20V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27610 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIR414DP-T1-GE3
SIR414DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIR414DP-T1-GE3 Försäljning
SIR414DP-T1-GE3 Leverantör
SIR414DP-T1-GE3 Distributör
SIR414DP-T1-GE3 Datatabell
SIR414DP-T1-GE3 Foton
SIR414DP-T1-GE3 Pris
SIR414DP-T1-GE3 Erbjudande
SIR414DP-T1-GE3 Lägsta pris
SIR414DP-T1-GE3 Sök
SIR414DP-T1-GE3 Köp av
SIR414DP-T1-GE3 Chip