SIHG73N60AEL-GE3
MOSFET N-CHAN 600V TO-247AC
Artikelnummer
SIHG73N60AEL-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
EL
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
520W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
69A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 36.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
342nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
6709pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 21697 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHG73N60AEL-GE3
SIHG73N60AEL-GE3 Elektroniska komponenter
SIHG73N60AEL-GE3 Försäljning
SIHG73N60AEL-GE3 Leverantör
SIHG73N60AEL-GE3 Distributör
SIHG73N60AEL-GE3 Datatabell
SIHG73N60AEL-GE3 Foton
SIHG73N60AEL-GE3 Pris
SIHG73N60AEL-GE3 Erbjudande
SIHG73N60AEL-GE3 Lägsta pris
SIHG73N60AEL-GE3 Sök
SIHG73N60AEL-GE3 Köp av
SIHG73N60AEL-GE3 Chip