SIHG33N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 32.4A TO-247AC
Artikelnummer
SIHG33N65E-GE3
Tillverkare/varumärke
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
313W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32.4A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
105 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
173nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4040pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 49804 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHG33N65E-GE3
SIHG33N65E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHG33N65E-GE3 Försäljning
SIHG33N65E-GE3 Leverantör
SIHG33N65E-GE3 Distributör
SIHG33N65E-GE3 Datatabell
SIHG33N65E-GE3 Foton
SIHG33N65E-GE3 Pris
SIHG33N65E-GE3 Erbjudande
SIHG33N65E-GE3 Lägsta pris
SIHG33N65E-GE3 Sök
SIHG33N65E-GE3 Köp av
SIHG33N65E-GE3 Chip