SIHG32N50D-E3
MOSFET N-CH 500V 30A TO-247AC
Artikelnummer
SIHG32N50D-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
390W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
150 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2550pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 11661 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHG32N50D-E3
SIHG32N50D-E3 Elektroniska komponenter
SIHG32N50D-E3 Försäljning
SIHG32N50D-E3 Leverantör
SIHG32N50D-E3 Distributör
SIHG32N50D-E3 Datatabell
SIHG32N50D-E3 Foton
SIHG32N50D-E3 Pris
SIHG32N50D-E3 Erbjudande
SIHG32N50D-E3 Lägsta pris
SIHG32N50D-E3 Sök
SIHG32N50D-E3 Köp av
SIHG32N50D-E3 Chip