SIHG21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A TO-247AC
Artikelnummer
SIHG21N65EF-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Through Hole
Paket/fodral
TO-247-3
Leverantörsenhetspaket
TO-247AC
Effektförlust (max)
208W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
650V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
106nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2322pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 17514 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHG21N65EF-GE3
SIHG21N65EF-GE3 Elektroniska komponenter
SIHG21N65EF-GE3 Försäljning
SIHG21N65EF-GE3 Leverantör
SIHG21N65EF-GE3 Distributör
SIHG21N65EF-GE3 Datatabell
SIHG21N65EF-GE3 Foton
SIHG21N65EF-GE3 Pris
SIHG21N65EF-GE3 Erbjudande
SIHG21N65EF-GE3 Lägsta pris
SIHG21N65EF-GE3 Sök
SIHG21N65EF-GE3 Köp av
SIHG21N65EF-GE3 Chip