SIHB35N60EF-GE3
MOSFET N-CH D2PAK TO-263
Artikelnummer
SIHB35N60EF-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
EF
Sektionsstatus
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
D²PAK (TO-263)
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
32A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
97 mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
134nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2568pF @ 100V
Vgs (max)
±30V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37783 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHB35N60EF-GE3
SIHB35N60EF-GE3 Elektroniska komponenter
SIHB35N60EF-GE3 Försäljning
SIHB35N60EF-GE3 Leverantör
SIHB35N60EF-GE3 Distributör
SIHB35N60EF-GE3 Datatabell
SIHB35N60EF-GE3 Foton
SIHB35N60EF-GE3 Pris
SIHB35N60EF-GE3 Erbjudande
SIHB35N60EF-GE3 Lägsta pris
SIHB35N60EF-GE3 Sök
SIHB35N60EF-GE3 Köp av
SIHB35N60EF-GE3 Chip