SIHB25N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Artikelnummer
SIHB25N50E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
250W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
500V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
26A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1980pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 52777 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHB25N50E-GE3
SIHB25N50E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHB25N50E-GE3 Försäljning
SIHB25N50E-GE3 Leverantör
SIHB25N50E-GE3 Distributör
SIHB25N50E-GE3 Datatabell
SIHB25N50E-GE3 Foton
SIHB25N50E-GE3 Pris
SIHB25N50E-GE3 Erbjudande
SIHB25N50E-GE3 Lägsta pris
SIHB25N50E-GE3 Sök
SIHB25N50E-GE3 Köp av
SIHB25N50E-GE3 Chip