SIHB18N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Artikelnummer
SIHB18N60E-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Leverantörsenhetspaket
TO-263 (D²Pak)
Effektförlust (max)
179W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
600V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
202 mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
92nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
10V
Vgs (max)
±30V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 40062 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIHB18N60E-GE3
SIHB18N60E-GE3 Elektroniska komponenter
SIHB18N60E-GE3 Försäljning
SIHB18N60E-GE3 Leverantör
SIHB18N60E-GE3 Distributör
SIHB18N60E-GE3 Datatabell
SIHB18N60E-GE3 Foton
SIHB18N60E-GE3 Pris
SIHB18N60E-GE3 Erbjudande
SIHB18N60E-GE3 Lägsta pris
SIHB18N60E-GE3 Sök
SIHB18N60E-GE3 Köp av
SIHB18N60E-GE3 Chip