köpa Vishay Siliconix SIDR610DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.

Visa mer info Datablad

SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

Artikelnummer

SIDR610DP-T1-GE3

Tillverkare/varumärke

Vishay Siliconix

Serier

TrenchFET®

Sektionsstatus

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstyp

Surface Mount

Paket/fodral

PowerPAK® SO-8

Leverantörsenhetspaket

PowerPAK® SO-8DC

Effektförlust (max)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

FET typ

N-Channel

Dränera till spänningskälla (Vdss)

200V

Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs

31.9 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs

38nC @ 10V

Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 100V

Vgs (max)

±20V

Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)

7.5V, 10V

Begäran om begäran

Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.

I lager 20257 PCS

Kontaktinformation

Relaterade produkter

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

Vishay Siliconix

SIDR390DP-T1-GE3