SIB456DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 6.3A SC75-6L
Artikelnummer
SIB456DK-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-75-6L
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-75-6L Single
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.3A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
185 mOhm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
130pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 23238 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIB456DK-T1-GE3
SIB456DK-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIB456DK-T1-GE3 Försäljning
SIB456DK-T1-GE3 Leverantör
SIB456DK-T1-GE3 Distributör
SIB456DK-T1-GE3 Datatabell
SIB456DK-T1-GE3 Foton
SIB456DK-T1-GE3 Pris
SIB456DK-T1-GE3 Erbjudande
SIB456DK-T1-GE3 Lägsta pris
SIB456DK-T1-GE3 Sök
SIB456DK-T1-GE3 Köp av
SIB456DK-T1-GE3 Chip