SIB452DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 190V 1.5A SC75-6
Artikelnummer
SIB452DK-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-75-6L
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-75-6L Single
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
190V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
135pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53373 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIB452DK-T1-GE3
SIB452DK-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIB452DK-T1-GE3 Försäljning
SIB452DK-T1-GE3 Leverantör
SIB452DK-T1-GE3 Distributör
SIB452DK-T1-GE3 Datatabell
SIB452DK-T1-GE3 Foton
SIB452DK-T1-GE3 Pris
SIB452DK-T1-GE3 Erbjudande
SIB452DK-T1-GE3 Lägsta pris
SIB452DK-T1-GE3 Sök
SIB452DK-T1-GE3 Köp av
SIB452DK-T1-GE3 Chip