SIB413DK-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6
Artikelnummer
SIB413DK-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-75-6L
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-75-6L Single
Effektförlust (max)
2.4W (Ta), 13W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.63nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
357pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44131 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIB413DK-T1-GE3
SIB413DK-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIB413DK-T1-GE3 Försäljning
SIB413DK-T1-GE3 Leverantör
SIB413DK-T1-GE3 Distributör
SIB413DK-T1-GE3 Datatabell
SIB413DK-T1-GE3 Foton
SIB413DK-T1-GE3 Pris
SIB413DK-T1-GE3 Erbjudande
SIB413DK-T1-GE3 Lägsta pris
SIB413DK-T1-GE3 Sök
SIB413DK-T1-GE3 Köp av
SIB413DK-T1-GE3 Chip