SIB410DK-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO
Artikelnummer
SIB410DK-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-75-6L
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-75-6L Single
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 13W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 3.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
560pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 15612 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIB410DK-T1-GE3
SIB410DK-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIB410DK-T1-GE3 Försäljning
SIB410DK-T1-GE3 Leverantör
SIB410DK-T1-GE3 Distributör
SIB410DK-T1-GE3 Datatabell
SIB410DK-T1-GE3 Foton
SIB410DK-T1-GE3 Pris
SIB410DK-T1-GE3 Erbjudande
SIB410DK-T1-GE3 Lägsta pris
SIB410DK-T1-GE3 Sök
SIB410DK-T1-GE3 Köp av
SIB410DK-T1-GE3 Chip