SIA817EDJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
Artikelnummer
SIA817EDJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
LITTLE FOOT®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Effektförlust (max)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Body)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
23nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 10V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 36135 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIA817EDJ-T1-GE3
SIA817EDJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA817EDJ-T1-GE3 Försäljning
SIA817EDJ-T1-GE3 Leverantör
SIA817EDJ-T1-GE3 Distributör
SIA817EDJ-T1-GE3 Datatabell
SIA817EDJ-T1-GE3 Foton
SIA817EDJ-T1-GE3 Pris
SIA817EDJ-T1-GE3 Erbjudande
SIA817EDJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIA817EDJ-T1-GE3 Sök
SIA817EDJ-T1-GE3 Köp av
SIA817EDJ-T1-GE3 Chip