SIA485DJ-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
Artikelnummer
SIA485DJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
-
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6
Leverantörsenhetspaket
-
Effektförlust (max)
15.6W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
150V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
6.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
155pF @ 75V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
6V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7947 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIA485DJ-T1-GE3
SIA485DJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA485DJ-T1-GE3 Försäljning
SIA485DJ-T1-GE3 Leverantör
SIA485DJ-T1-GE3 Distributör
SIA485DJ-T1-GE3 Datatabell
SIA485DJ-T1-GE3 Foton
SIA485DJ-T1-GE3 Pris
SIA485DJ-T1-GE3 Erbjudande
SIA485DJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIA485DJ-T1-GE3 Sök
SIA485DJ-T1-GE3 Köp av
SIA485DJ-T1-GE3 Chip