SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6
Artikelnummer
SIA456DJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
200V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
1.38 Ohm @ 750mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
14.5nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 100V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 16140 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIA456DJ-T1-GE3
SIA456DJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA456DJ-T1-GE3 Försäljning
SIA456DJ-T1-GE3 Leverantör
SIA456DJ-T1-GE3 Distributör
SIA456DJ-T1-GE3 Datatabell
SIA456DJ-T1-GE3 Foton
SIA456DJ-T1-GE3 Pris
SIA456DJ-T1-GE3 Erbjudande
SIA456DJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIA456DJ-T1-GE3 Sök
SIA456DJ-T1-GE3 Köp av
SIA456DJ-T1-GE3 Chip