SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A SC-70
Artikelnummer
SIA429DJT-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20.5 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1750pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 42491 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA429DJT-T1-GE3 Försäljning
SIA429DJT-T1-GE3 Leverantör
SIA429DJT-T1-GE3 Distributör
SIA429DJT-T1-GE3 Datatabell
SIA429DJT-T1-GE3 Foton
SIA429DJT-T1-GE3 Pris
SIA429DJT-T1-GE3 Erbjudande
SIA429DJT-T1-GE3 Lägsta pris
SIA429DJT-T1-GE3 Sök
SIA429DJT-T1-GE3 Köp av
SIA429DJT-T1-GE3 Chip