SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A SC70-6
Artikelnummer
SIA414DJ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
32nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43448 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SIA414DJ-T1-GE3
SIA414DJ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SIA414DJ-T1-GE3 Försäljning
SIA414DJ-T1-GE3 Leverantör
SIA414DJ-T1-GE3 Distributör
SIA414DJ-T1-GE3 Datatabell
SIA414DJ-T1-GE3 Foton
SIA414DJ-T1-GE3 Pris
SIA414DJ-T1-GE3 Erbjudande
SIA414DJ-T1-GE3 Lägsta pris
SIA414DJ-T1-GE3 Sök
SIA414DJ-T1-GE3 Köp av
SIA414DJ-T1-GE3 Chip