Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SIA411DJ-T1-E3

SIA411DJ-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Artikelnummer
SIA411DJ-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SC-70-6
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SC-70-6 Single
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1200pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 37982 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SIA411DJ-T1-E3
SIA411DJ-T1-E3 Elektroniska komponenter
SIA411DJ-T1-E3 Försäljning
SIA411DJ-T1-E3 Leverantör
SIA411DJ-T1-E3 Distributör
SIA411DJ-T1-E3 Datatabell
SIA411DJ-T1-E3 Foton
SIA411DJ-T1-E3 Pris
SIA411DJ-T1-E3 Erbjudande
SIA411DJ-T1-E3 Lägsta pris
SIA411DJ-T1-E3 Sök
SIA411DJ-T1-E3 Köp av
SIA411DJ-T1-E3 Chip