Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI9934BDY-T1-GE3

SI9934BDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Artikelnummer
SI9934BDY-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Effekt - Max
1.1W
Leverantörsenhetspaket
8-SO
FET typ
2 P-Channel (Dual)
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.8A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44868 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI9934BDY-T1-GE3
SI9934BDY-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI9934BDY-T1-GE3 Försäljning
SI9934BDY-T1-GE3 Leverantör
SI9934BDY-T1-GE3 Distributör
SI9934BDY-T1-GE3 Datatabell
SI9934BDY-T1-GE3 Foton
SI9934BDY-T1-GE3 Pris
SI9934BDY-T1-GE3 Erbjudande
SI9934BDY-T1-GE3 Lägsta pris
SI9934BDY-T1-GE3 Sök
SI9934BDY-T1-GE3 Köp av
SI9934BDY-T1-GE3 Chip