SI8810EDB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Artikelnummer
SI8810EDB-T2-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-XFBGA
Leverantörsenhetspaket
4-Microfoot
Effektförlust (max)
500mW (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
-
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
245pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 53457 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8810EDB-T2-E1
SI8810EDB-T2-E1 Elektroniska komponenter
SI8810EDB-T2-E1 Försäljning
SI8810EDB-T2-E1 Leverantör
SI8810EDB-T2-E1 Distributör
SI8810EDB-T2-E1 Datatabell
SI8810EDB-T2-E1 Foton
SI8810EDB-T2-E1 Pris
SI8810EDB-T2-E1 Erbjudande
SI8810EDB-T2-E1 Lägsta pris
SI8810EDB-T2-E1 Sök
SI8810EDB-T2-E1 Köp av
SI8810EDB-T2-E1 Chip