SI8497DB-T2-E1
MOSFET P-CH 30V 13A MICROFOOT
Artikelnummer
SI8497DB-T2-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-UFBGA
Leverantörsenhetspaket
6-microfoot
Effektförlust (max)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
13A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
53 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1320pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 41009 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8497DB-T2-E1
SI8497DB-T2-E1 Elektroniska komponenter
SI8497DB-T2-E1 Försäljning
SI8497DB-T2-E1 Leverantör
SI8497DB-T2-E1 Distributör
SI8497DB-T2-E1 Datatabell
SI8497DB-T2-E1 Foton
SI8497DB-T2-E1 Pris
SI8497DB-T2-E1 Erbjudande
SI8497DB-T2-E1 Lägsta pris
SI8497DB-T2-E1 Sök
SI8497DB-T2-E1 Köp av
SI8497DB-T2-E1 Chip