SI8481DB-T1-E1
MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
Artikelnummer
SI8481DB-T1-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET® Gen III
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-UFBGA
Leverantörsenhetspaket
4-MICRO FOOT® (1.6x1.6)
Effektförlust (max)
2.8W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
9.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2500pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50382 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8481DB-T1-E1
SI8481DB-T1-E1 Elektroniska komponenter
SI8481DB-T1-E1 Försäljning
SI8481DB-T1-E1 Leverantör
SI8481DB-T1-E1 Distributör
SI8481DB-T1-E1 Datatabell
SI8481DB-T1-E1 Foton
SI8481DB-T1-E1 Pris
SI8481DB-T1-E1 Erbjudande
SI8481DB-T1-E1 Lägsta pris
SI8481DB-T1-E1 Sök
SI8481DB-T1-E1 Köp av
SI8481DB-T1-E1 Chip