SI8429DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
Artikelnummer
SI8429DB-T1-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-XFBGA, CSPBGA
Leverantörsenhetspaket
4-Microfoot
Effektförlust (max)
2.77W (Ta), 6.25W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
11.7A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1640pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.2V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 54153 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8429DB-T1-E1
SI8429DB-T1-E1 Elektroniska komponenter
SI8429DB-T1-E1 Försäljning
SI8429DB-T1-E1 Leverantör
SI8429DB-T1-E1 Distributör
SI8429DB-T1-E1 Datatabell
SI8429DB-T1-E1 Foton
SI8429DB-T1-E1 Pris
SI8429DB-T1-E1 Erbjudande
SI8429DB-T1-E1 Lägsta pris
SI8429DB-T1-E1 Sök
SI8429DB-T1-E1 Köp av
SI8429DB-T1-E1 Chip