SI8407DB-T2-E1
MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP
Artikelnummer
SI8407DB-T2-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
6-MICRO FOOT®CSP
Leverantörsenhetspaket
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Effektförlust (max)
1.47W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.8A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 350µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 43517 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8407DB-T2-E1
SI8407DB-T2-E1 Elektroniska komponenter
SI8407DB-T2-E1 Försäljning
SI8407DB-T2-E1 Leverantör
SI8407DB-T2-E1 Distributör
SI8407DB-T2-E1 Datatabell
SI8407DB-T2-E1 Foton
SI8407DB-T2-E1 Pris
SI8407DB-T2-E1 Erbjudande
SI8407DB-T2-E1 Lägsta pris
SI8407DB-T2-E1 Sök
SI8407DB-T2-E1 Köp av
SI8407DB-T2-E1 Chip