SI8402DB-T1-E1
MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
Artikelnummer
SI8402DB-T1-E1
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
4-XFBGA, CSPBGA
Leverantörsenhetspaket
4-Microfoot
Effektförlust (max)
1.47W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.3A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
37 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till chen_hx1688@hotmail.com, vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 13854 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI8402DB-T1-E1
SI8402DB-T1-E1 Elektroniska komponenter
SI8402DB-T1-E1 Försäljning
SI8402DB-T1-E1 Leverantör
SI8402DB-T1-E1 Distributör
SI8402DB-T1-E1 Datatabell
SI8402DB-T1-E1 Foton
SI8402DB-T1-E1 Pris
SI8402DB-T1-E1 Erbjudande
SI8402DB-T1-E1 Lägsta pris
SI8402DB-T1-E1 Sök
SI8402DB-T1-E1 Köp av
SI8402DB-T1-E1 Chip