Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI7489DP-T1-GE3

SI7489DP-T1-GE3

MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Artikelnummer
SI7489DP-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® SO-8
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® SO-8
Effektförlust (max)
5.2W (Ta), 83W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
41 mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4600pF @ 50V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 10308 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI7489DP-T1-GE3
SI7489DP-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI7489DP-T1-GE3 Försäljning
SI7489DP-T1-GE3 Leverantör
SI7489DP-T1-GE3 Distributör
SI7489DP-T1-GE3 Datatabell
SI7489DP-T1-GE3 Foton
SI7489DP-T1-GE3 Pris
SI7489DP-T1-GE3 Erbjudande
SI7489DP-T1-GE3 Lägsta pris
SI7489DP-T1-GE3 Sök
SI7489DP-T1-GE3 Köp av
SI7489DP-T1-GE3 Chip