Bild kan vara representation.
Se specifikationer för produktinformation.
SI6968BEDQ-T1-GE3

SI6968BEDQ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-TSSOP
Artikelnummer
SI6968BEDQ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Effekt - Max
1W
Leverantörsenhetspaket
8-TSSOP
FET typ
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
5.2A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 44669 PCS
Kontaktinformation
Nyckelord av SI6968BEDQ-T1-GE3
SI6968BEDQ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI6968BEDQ-T1-GE3 Försäljning
SI6968BEDQ-T1-GE3 Leverantör
SI6968BEDQ-T1-GE3 Distributör
SI6968BEDQ-T1-GE3 Datatabell
SI6968BEDQ-T1-GE3 Foton
SI6968BEDQ-T1-GE3 Pris
SI6968BEDQ-T1-GE3 Erbjudande
SI6968BEDQ-T1-GE3 Lägsta pris
SI6968BEDQ-T1-GE3 Sök
SI6968BEDQ-T1-GE3 Köp av
SI6968BEDQ-T1-GE3 Chip