SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8-TSSOP
Artikelnummer
SI6423DQ-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-TSSOP
Effektförlust (max)
1.05W (Ta)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
8.2A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.5 mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 400µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39743 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI6423DQ-T1-GE3
SI6423DQ-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI6423DQ-T1-GE3 Försäljning
SI6423DQ-T1-GE3 Leverantör
SI6423DQ-T1-GE3 Distributör
SI6423DQ-T1-GE3 Datatabell
SI6423DQ-T1-GE3 Foton
SI6423DQ-T1-GE3 Pris
SI6423DQ-T1-GE3 Erbjudande
SI6423DQ-T1-GE3 Lägsta pris
SI6423DQ-T1-GE3 Sök
SI6423DQ-T1-GE3 Köp av
SI6423DQ-T1-GE3 Chip