SI5980DU-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Artikelnummer
SI5980DU-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Effekt - Max
7.8W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® ChipFet Dual
FET typ
2 N-Channel (Dual)
FET-funktioner
Standard
Dränera till spänningskälla (Vdss)
100V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
2.5A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
567 mOhm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
3.3nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
78pF @ 50V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 45454 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5980DU-T1-GE3
SI5980DU-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI5980DU-T1-GE3 Försäljning
SI5980DU-T1-GE3 Leverantör
SI5980DU-T1-GE3 Distributör
SI5980DU-T1-GE3 Datatabell
SI5980DU-T1-GE3 Foton
SI5980DU-T1-GE3 Pris
SI5980DU-T1-GE3 Erbjudande
SI5980DU-T1-GE3 Lägsta pris
SI5980DU-T1-GE3 Sök
SI5980DU-T1-GE3 Köp av
SI5980DU-T1-GE3 Chip