SI5856DC-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8
Artikelnummer
SI5856DC-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
1206-8 ChipFET™
Effektförlust (max)
1.1W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
Schottky Diode (Isolated)
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 51354 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5856DC-T1-E3
SI5856DC-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI5856DC-T1-E3 Försäljning
SI5856DC-T1-E3 Leverantör
SI5856DC-T1-E3 Distributör
SI5856DC-T1-E3 Datatabell
SI5856DC-T1-E3 Foton
SI5856DC-T1-E3 Pris
SI5856DC-T1-E3 Erbjudande
SI5856DC-T1-E3 Lägsta pris
SI5856DC-T1-E3 Sök
SI5856DC-T1-E3 Köp av
SI5856DC-T1-E3 Chip