SI5517DU-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
Artikelnummer
SI5517DU-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Effekt - Max
8.3W
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® ChipFet Dual
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
520pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 50337 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5517DU-T1-E3
SI5517DU-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI5517DU-T1-E3 Försäljning
SI5517DU-T1-E3 Leverantör
SI5517DU-T1-E3 Distributör
SI5517DU-T1-E3 Datatabell
SI5517DU-T1-E3 Foton
SI5517DU-T1-E3 Pris
SI5517DU-T1-E3 Erbjudande
SI5517DU-T1-E3 Lägsta pris
SI5517DU-T1-E3 Sök
SI5517DU-T1-E3 Köp av
SI5517DU-T1-E3 Chip