SI5515DC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4.4A 1206-8
Artikelnummer
SI5515DC-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Effekt - Max
1.1W
Leverantörsenhetspaket
1206-8 ChipFET™
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4.4A, 3A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 7459 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5515DC-T1-E3
SI5515DC-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI5515DC-T1-E3 Försäljning
SI5515DC-T1-E3 Leverantör
SI5515DC-T1-E3 Distributör
SI5515DC-T1-E3 Datatabell
SI5515DC-T1-E3 Foton
SI5515DC-T1-E3 Pris
SI5515DC-T1-E3 Erbjudande
SI5515DC-T1-E3 Lägsta pris
SI5515DC-T1-E3 Sök
SI5515DC-T1-E3 Köp av
SI5515DC-T1-E3 Chip