SI5513CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Artikelnummer
SI5513CDC-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Effekt - Max
3.1W
Leverantörsenhetspaket
1206-8 ChipFET™
FET typ
N and P-Channel
FET-funktioner
Logic Level Gate
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
4A, 3.7A
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
4.2nC @ 5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
285pF @ 10V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 39727 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5513CDC-T1-GE3
SI5513CDC-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI5513CDC-T1-GE3 Försäljning
SI5513CDC-T1-GE3 Leverantör
SI5513CDC-T1-GE3 Distributör
SI5513CDC-T1-GE3 Datatabell
SI5513CDC-T1-GE3 Foton
SI5513CDC-T1-GE3 Pris
SI5513CDC-T1-GE3 Erbjudande
SI5513CDC-T1-GE3 Lägsta pris
SI5513CDC-T1-GE3 Sök
SI5513CDC-T1-GE3 Köp av
SI5513CDC-T1-GE3 Chip