SI5499DC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Artikelnummer
SI5499DC-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
1206-8 ChipFET™
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
8V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1290pF @ 4V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.5V, 4.5V
Vgs (max)
±5V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 5400 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5499DC-T1-E3
SI5499DC-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI5499DC-T1-E3 Försäljning
SI5499DC-T1-E3 Leverantör
SI5499DC-T1-E3 Distributör
SI5499DC-T1-E3 Datatabell
SI5499DC-T1-E3 Foton
SI5499DC-T1-E3 Pris
SI5499DC-T1-E3 Erbjudande
SI5499DC-T1-E3 Lägsta pris
SI5499DC-T1-E3 Sök
SI5499DC-T1-E3 Köp av
SI5499DC-T1-E3 Chip