SI5471DC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8
Artikelnummer
SI5471DC-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
1206-8 ChipFET™
Effektförlust (max)
2.5W (Ta), 6.3W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
20V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.1V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
96nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2945pF @ 10V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±12V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27812 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5471DC-T1-GE3
SI5471DC-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI5471DC-T1-GE3 Försäljning
SI5471DC-T1-GE3 Leverantör
SI5471DC-T1-GE3 Distributör
SI5471DC-T1-GE3 Datatabell
SI5471DC-T1-GE3 Foton
SI5471DC-T1-GE3 Pris
SI5471DC-T1-GE3 Erbjudande
SI5471DC-T1-GE3 Lägsta pris
SI5471DC-T1-GE3 Sök
SI5471DC-T1-GE3 Köp av
SI5471DC-T1-GE3 Chip