SI5411EDU-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK CHIPFET
Artikelnummer
SI5411EDU-T1-GE3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Active
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-50°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
PowerPAK® ChipFET™ Single
Leverantörsenhetspaket
PowerPAK® ChipFet Single
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
FET typ
P-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
8.2 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
105nC @ 8V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4100pF @ 6V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
1.8V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 27022 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5411EDU-T1-GE3
SI5411EDU-T1-GE3 Elektroniska komponenter
SI5411EDU-T1-GE3 Försäljning
SI5411EDU-T1-GE3 Leverantör
SI5411EDU-T1-GE3 Distributör
SI5411EDU-T1-GE3 Datatabell
SI5411EDU-T1-GE3 Foton
SI5411EDU-T1-GE3 Pris
SI5411EDU-T1-GE3 Erbjudande
SI5411EDU-T1-GE3 Lägsta pris
SI5411EDU-T1-GE3 Sök
SI5411EDU-T1-GE3 Köp av
SI5411EDU-T1-GE3 Chip