SI5406DC-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8
Artikelnummer
SI5406DC-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SMD, Flat Lead
Leverantörsenhetspaket
1206-8 ChipFET™
Effektförlust (max)
1.3W (Ta)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
12V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
6.9A (Ta)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
600mV @ 1.2mA (Min)
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
-
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
2.5V, 4.5V
Vgs (max)
±8V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 46502 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI5406DC-T1-E3
SI5406DC-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI5406DC-T1-E3 Försäljning
SI5406DC-T1-E3 Leverantör
SI5406DC-T1-E3 Distributör
SI5406DC-T1-E3 Datatabell
SI5406DC-T1-E3 Foton
SI5406DC-T1-E3 Pris
SI5406DC-T1-E3 Erbjudande
SI5406DC-T1-E3 Lägsta pris
SI5406DC-T1-E3 Sök
SI5406DC-T1-E3 Köp av
SI5406DC-T1-E3 Chip