SI4660DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4660DY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
3.1W (Ta), 5.6W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
25V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
23.1A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
5.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2410pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±16V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 28200 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4660DY-T1-E3
SI4660DY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4660DY-T1-E3 Försäljning
SI4660DY-T1-E3 Leverantör
SI4660DY-T1-E3 Distributör
SI4660DY-T1-E3 Datatabell
SI4660DY-T1-E3 Foton
SI4660DY-T1-E3 Pris
SI4660DY-T1-E3 Erbjudande
SI4660DY-T1-E3 Lägsta pris
SI4660DY-T1-E3 Sök
SI4660DY-T1-E3 Köp av
SI4660DY-T1-E3 Chip