SI4642DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 34A 8-SOIC
Artikelnummer
SI4642DY-T1-E3
Tillverkare/varumärke
Serier
TrenchFET®
Sektionsstatus
Obsolete
Förpackning
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp
Surface Mount
Paket/fodral
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Leverantörsenhetspaket
8-SO
Effektförlust (max)
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
FET typ
N-Channel
FET-funktioner
-
Dränera till spänningskälla (Vdss)
30V
Ström - Kontinuerlig dränering (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Aktiva Rds (Max) @ Id, Vgs
3.75 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Portkostnad (Qg) (Max) @ Vgs
110nC @ 10V
Ingångskapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5540pF @ 15V
Drivspänning (Max Active Rds, Min Active Rds)
4.5V, 10V
Vgs (max)
±20V
Begäran om begäran
Fyll i alla obligatoriska fält och klicka på " Skicka " kommer vi att kontakta dig om 12 timmar via e-post. Om du har problem, vänligen lämna meddelanden eller e-post till [email protected], vi kommer att svara så snart som möjligt.
I lager 12968 PCS
Kontaktinformation
Relaterade produkter
Nyckelord av SI4642DY-T1-E3
SI4642DY-T1-E3 Elektroniska komponenter
SI4642DY-T1-E3 Försäljning
SI4642DY-T1-E3 Leverantör
SI4642DY-T1-E3 Distributör
SI4642DY-T1-E3 Datatabell
SI4642DY-T1-E3 Foton
SI4642DY-T1-E3 Pris
SI4642DY-T1-E3 Erbjudande
SI4642DY-T1-E3 Lägsta pris
SI4642DY-T1-E3 Sök
SI4642DY-T1-E3 Köp av
SI4642DY-T1-E3 Chip